三星打造新型3D垂直设计的NAND固态硬盘

　　【资讯】三星是打算在实际产品发布之前就构建起3D NAND家族吗?

　　“我们已经在实际推进，但我们无法就此作出太多评述。”——这基本上就是三星在谈到其第二代3D V-NAND以及将采用该技术的闪存驱动器产品时所持的态度。

　　顾名思义，所谓3D V-NAND是由多层闪存单元彼此堆叠所形成的结构，目的是在增加存储容量的同时避免放大芯片本身的体积。下面来看截至目前我们所掌握的相关情况：

　　·三星的第二代3D V-NAND芯片为32层结构，高于第一代的24层。

　　·目前该芯片已经进入量产阶段，并将与第一代芯片归入同一产品线。

　　这家韩国电子巨头对于闪存单元的尺寸以及其到底属于MLC还是SLC闪存仍然守口如瓶。不过据我们了解，三星方面正在利用第二代3D V-NAND构建固态驱动器产品：

　　·这款SSD主要面向个人计算机，而第一代产品则号称针对数据中心环境。

　　·其存储空间分别为128GB、256GB、512GB以及1TB。

　　·采用每秒6Gbit SATA接口。

　　尽管三星告诉我们：“这款全新3D V-NAND SSD产品拥有约两倍于平面(2D)MLC NAND驱动器的数据写入寿命，同时功耗也实现了20%的缩减，”不过他们并没有提供任何具体数据作为参考——好吧，你赢了。

　　三星方面还宣布将在今年晚些时候推出可靠性更强、存储密度更高的后续第二代V-NAND SSD产品。在我们看来，这似乎意味着其制程工艺将迎来进一步提升。

　　我们期待着三星公司发布该产品的实际使用寿命、质保周期、随机读取与写入IOPS以及连续读取与写入带宽，当然还有可用性。对了，再就是价格。另外值得一提的是，我们了解到V-NAND中的V是指vertical也就是垂直，要不是三星一再强调、我们会把这个V理解成vapour也就是蒸汽——反正除了图片，这款闪存驱动器完全就是没影的事儿。

▲三星1TB SSD采用第二代3D V-NAND……请注意，产品标签上的日期戳为2014 05，意味着这块驱动器上个月才刚刚下线。

　　已经有实际产品图片出炉，这里展示的是第二代3D V-NAND芯片。

　　这项公告可谓一石激起千层浪，不仅给竞争对手们即将发布的3D NAND公告来了一击沉重打击，同时也有可能通过率先将3D V-NAND SSD投放市场的方式打压其它厂商的产品销量。但这一切尚不明确，我们只能静待时间带给我们答案。